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蓝光LED之商机与应用
蓝光LED制造的突破
 1950年代,以GaN为主要制造材料的蓝光LED率先于美国问世;可是它却经历了数十年才真正成为可量产的技术。日本科学家中村修二(Shuji Nakamura)教授可说是整个蓝光LED技术突破的主要推手。中村博士于1990年代中就职于日亚化学工业时,带领其研发团队率先生产高亮度蓝光LED,继而以生产蓝宝石(Sapphire)基板为主要基板材料来制造蓝光。这个突破不但影响整个照明事业之技术发展,紧接著台湾、中国大陆及韩国的GaN LED生产量更在2004年前成长超过3倍,成为全球蓝光LED主要生产区域。
 台湾目前也在其它其它颜色LED取得领导性地位。以红光及黄光LED来说,台湾在国际市场上已有超过80%以上的市占率。虽然日本、欧洲及美国的业者仍在蓝光LED生产技术有所领先,但台湾、中国大陆及韩国厂商均正急起直追中;从大量相关的封装订单之移转脉络,就足以佐证此趋势。
 有监于LED在一般传统、较省电的系统应用日增,蓝光LED系统整合厂商也快速崛起。现在某些富创意的灯光设计均采用LED,而蓝光LED装置更成为手机及背光LCD屏幕中不可或缺的要件。
 LED产值将呈倍数增长
 专研高亮度LED(High-brightness Light Emitting Diodes;HB-LED)及GaN市场趋势之市场研究机构Strategies Unlimited(SU)的Robert Steele博士,将是今年BLUE 2005的主要演说嘉宾之一。Steele博士预估,GaN产值将由去年的320亿美元大幅成长,到2009年达到760亿美元。
 在高亮度LED在GaN市场占主要地位的同时,雷射二极管(Laser Diode;LD)及其它电子装置仍然处于初期的发展阶段,预计未来5年将有稳定的增长率。Steele博士表示,整体HB LED市场(所有颜色)将在2009年前成长至大约70亿美元的市场规模。
 2002年,当日亚化开始规模量产以GaN为主的蓝光及紫光二极管,以及蓝光LED时,就已正式宣告全球蓝光LED终于由技术层面延伸至实际的生产。
 与此同时,台湾方面也取得MOCVD(有机金属气相磊晶法;Metal Organic Vapor Epitaxy)法的相关生产设备,可以开始制造蓝光LED装置。MOCVD法透过置入GaN表层及其合金于Sapphire或矽碳化钙(SiC)基板上,来制造出蓝光LED或LD裸晶。
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